원광대학교 전자공학과 강준모 학생은 지난 6월 23일부터 26일까지 제주 롯데호텔 제주에서 열린 ‘대한전자공학회 하계학술대회’에 참가했다.

강준모 학생은 학술대회에서 TCAD 시뮬레이션을 활용한 130nm Planar Si NMOS의 Halo Implant Tilt Angle 및 Poly-Gate Height 변화에 따른 전기적 특성 분석 연구를 포스터로 발표했다.

이번 학술대회 참가를 통해 연구 성과를 공유하고 반도체 소자 및 공정 분야의 최신 연구 동향을 살펴보며 전공 역량을 높이는 시간을 가졌다.